High-NA EUVの導入は、装置導入から量産レイヤーの検証へ

High-NAが変えるのは、露光の光学条件

ASMLの製品説明では、High-NA EUVのEXEプラットフォームは開口数（NA）0.55、解像度8ナノメートルの光学系を使う。従来のNA0.33のNXEと比べ、単一露光で1.7倍小さい特徴を印刷し、トランジスタ密度を2.9倍にできる可能性を示している。これは装置と露光条件の比較であり、完成したチップ全体の性能や密度をそのまま2.9倍とする数字ではない。

単一露光で済むレイヤーが増えれば、複数回のパターニングに伴う工程数を減らせる可能性がある。一方、どのレイヤーに使うか、レジストやマスク、エッチング工程がどう組み合わさるかで結果は変わる。

量産に入ったのは、18Aの一部レイヤー

ASMLとIntel Foundryは2026年9月8日、IntelのHigh-NA EUVが認証・試験、研究開発、量産を合わせて100万枚超のウェハーを処理し、Intel 18Aで選ばれたレイヤーを使う一部のCore Ultra Series 3製品が量産中だと発表した。両社は、オーバーレイ、スループット、稼働率がIntelの期待に達しているとしている。

この発表から確認できるのは、High-NAが研究室の段階を越え、限定された製品レイヤーで量産工程に組み込まれたことだ。すべての18Aレイヤー、すべての製品、業界全体の量産置き換えを意味する発表ではない。

18Aの評価は、トランジスタと電源配線も含む

Intelは2026年6月、18Aが2025年に生産に入り、18A-Pがリスク生産に入ったと説明している。18AはRibbonFETのゲート・オール・アラウンド型トランジスタと、裏面から電力を供給するPowerViaを組み合わせたプロセスとして紹介されている。

そのため、High-NAの効果だけを切り出して製品の速さや電力を判断することはできない。トランジスタ構造、裏面電源、設計ルール、パッケージ、製品の負荷を同じ条件で比較する必要がある。

量産性は、数字の範囲を揃えて読む

ASMLは2026年7月、Intel 18Aの特定レイヤーをHigh-NA EUVで認定し、NXEでパターン形成したレイヤーと同等の歩留まりで顧客向け製品を出荷していると発表した。ここでも対象は特定レイヤーであり、装置の解像度だけでなく、歩留まりとスループットが確認項目になっている。

導入を評価する側は、装置の仕様、対象レイヤー、製品の範囲、ウェハー処理量、歩留まり、稼働率を同じ期間と条件で並べる。

High-NAという名称だけで世代交代の完了と判断せず、どの工程で何が検証されたかを確かめることが、量産の実像に近づく。